旺宏电子总经理卢志远博士获选为2012年国际电机电子工程师学会“IEEE Frederik Philips Award”得主。这个奖项素有科技研发工程师界奥斯卡奖之称，卢博士的获奖，正代表他长期投身于科技创新与研发管理的卓越领导及对促进半导体产业联盟的杰出贡献受到国际高度肯定。卢博士也是首位获此殊荣的两岸三地科学家。国际电机电子工程师学会预定于2012年在IEEE的大型国际会议中颁奖。

卢志远博士表示：“能获奖感到非常光荣，这是一项极大的荣誉，是旺宏团队共同努力的成果，很高兴浸淫半导体产业三十余年来，能幸运地将兴趣与工作结合，持续发挥所长，也非常感谢在每一段过程中曾经合作的伙伴，未来将继续秉持对创新科技的研究热忱，提升旺宏在非挥发性内存的研发技术与制造能力，以对高科技产业持续作出贡献。”

IEEE Frederik Philips Award为国际知名奖项，由荷兰飞利浦公司于1971年创立，主要是表彰在电机电子领域之研发管理及创新研究作出杰出贡献者。自成立以来已颁予42位得主或机构，历年获奖人包括曾担任五任美国总统科技顾问的Bell Labs总裁WILLIAM O. BAKER（1972）及ARUN N. NETRAVALI （2001）、摩尔定律发明人、Intel公司创始人Gordon Moore（1979）、比利时微电子研究中心IMEC创办人ROGER J. VAN OVERSTRAETEN（1999）、IBM全球研发总负责人John Kelly（2010）等。

卢志远博士在提升尖端研发的卓越表现一直受到国内外肯定。他早于1980年代中期于美国Bell Labs领导研究计划时，即曾研发高达600V之BCDMOS IC技术，为当时业界最高伏技术，1987年，他也是全球首位于IEDM发表DRAM最诡谲的可靠性问题技术论文─Variable Hold （Retention） Time phenomenon in DRAM，促使业者大幅提升DRAM可靠度，之后领导研发0.6微米CMOS第六代Twin-tub制程技术，部分技术理论迄今仍被广泛引用，让今日的半导体产业得以蓬勃发展。

卢博士于1989年获李国鼎资政及当时工研院董事长张忠谋之邀回台出任工研院电子所副所长，之后主持“经济部次微米计划”，完成台湾DRAM技术的独立研发及量产，不但让台湾具备八吋晶圆产制能力，更进而奠定了在全球半导体产业链的重要地位，其卓越贡献因此获颁“行政院杰出科技人才奖”。次微米计划于1994年衍生成立世界先进公司，卢博士当时为世界先进共同创办人，成为催化台湾DRAM产业的重要推手。

1999年，卢志远博士加入旺宏电子，带领旺宏进行前瞻内存技术研发，并与世界级高科技大厂如IBM及英飞凌建立长期而互惠的策略伙伴关系。近年来旺宏所拥有的高品质国际专利超过4200项，发表的先驱技术论文持续入选IEDM、ISSCC、VLSI、SSDM等多项国际知名学术会议，篇数在全世界之业界、学界中皆属名列前茅。以2010年为例，旺宏的3D NAND Flash创新研究，即获得全球IC整合技术界最重要国际会议VLSI评选为2010年重要焦点论文，为台湾唯一论文获评为焦点论文的公司。

发明浮闸非挥发性内存（Floating-gate Nonvolatile Memory）的半导体巨擘、中央研究院院士施敏博士表示：“卢博士早期发表之CMOS先进技术，其后带领工研院团队研发次微米技术并使之量产，以及近年来在非挥发性内存先进技术的研发，皆显示他在世界学术界尖端研究建立了崇高之地位，以及在应用科学方面之优越成就。他对深耕本土高科技技术及提升尖端研发能量贡献良多，堪称台湾应用科学领域之翘首。”

清华大学前校长、中研院院士刘炯朗先生在得知这项消息后也指出，“卢总经理是一位志向宏远、斗志旺盛，具有远见愿景又能积极实现的领导者及实践家，获此殊荣乃实至名归。”

卢志远博士个人拥有超过360篇论文及140余项国际专利。他获任美国电机电子学会 （IEEE） 院士、美国物理学会 （APS） 院士及中华民国科技管理学会院士。2000年IEEE颁发“千禧杰出奖章”（Millennium Medal），即是高度肯定他对于经济及社会的重要贡献。同时，卢博士也荣获经济部专利发明奖及最佳专案奖、潘文渊文教基金会研究杰出奖以及获选为交大及台大杰出校友等多项荣耀。此外，他曾担任 IEEE Transactions on Electron Devices编辑长达15年及“科学月刊”社长，热心支持科普教育推广及各项技术与学术研讨活动，更促进了国际产业的交流发展。